metal gate製程
我們發現對元件的High-K-Metalgate界面作CF4電漿處理,並在製程中施加較低溫的PMA,可得到功函數較高的元件。CF4電漿處理能提升金屬閘極元件的功函數,需注意的是,當 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程,可以控制金屬氧化物半導體場效電...
高介電常數金屬閘極(High
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2019年8月5日—...閘極尺寸縮小和金屬導線材料由Al轉為Cu,可以有效的提高元件運作速度和晶片效能;但是進一步縮小製程技術到28nm和20nm,閘極介電層材料的改變帶 ...
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